Guided Light Propagation Loss Reduction Using GaAsP Strained Quantum Well Selective Area Disordering by F Ion Implantation and Thermal Annealing

量子井戸選択的無秩序化は、集積半導体レーザにおける受動領域の量子井戸の実効バンドギャップ エネルギーを拡大し、レーザ発振波長における導波光伝搬損失を低減する重要な技術である。これまで GaAs量子井戸、InGaAs歪量子井戸の選択的無秩序化などが報告されている[1][2]。また、Fイオン注入 と熱処理による Ga...